产品描述
FT61EC21A−Dab
8−bit CPU (EEPROM) 37 条 RISC 指令: 2T or 4T 16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.7) 多达 16 个引脚 Memory PROGRAM: 2k x 14 bit (读/写保护) DATA: 256 x 8 bit RAM: 128 x 8 bit 8 层硬件堆栈 工作条件 (5V, 25°C) VDD (VPOR ≤ 2.0V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整,0°C 以上 ≤1.7V) 工作温度等级 − 40 − + 85 °C 低 Standby 0.8 μA WDT 3.2 μA 正常模式 (16 MHz) 207 μA/mips 高可靠性 10 万次擦写次数 (typical) > 20 年 / 85°C 存储 (typical) ESD > 4 kV, EFT > 5.5 kV ADC (10−bit) 真正 10−bit 精度 (≤ 1 MHz ADC 时钟) 7 + 1 通道 VADC−REF 内部: 2.0, 3.0, VDD 外部: VREF 引脚 特殊事件触发和中断 比较器 (2 路) 16 级可编程参考电压 稳压器输出 (2 路) 可输出 32 档电压 PWM (Total 5) 增强型捕捉/比较/PWM PWM 模式: 单 PWM,半桥,全桥 3 对 PWM (6 个 I/O): 互补输出+死区 单脉冲模式 相同周期,占空比 极性可选 PWM (3 路) 支持 SLEEP 下运行 独立:周期,占空比,极性 蜂鸣器模式 Timers WDT (16−bit): 7−bit 后分频 Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频 Timer1 (16−bit): 3-bit 预分频,带门控 Timer2 (8−bit): 4−bit 预分频和后分频 Timer3/4/5(12-bit): 7-bit 预分频和 8-bit 后 分频 支持在 SLEEP 下运行 1 or 2x {指令时钟, HIRC}, LP, T0CK,T1CK I/O PORTS (多达 14 个 I/O) 上拉/下拉电阻 All I/O 源电流: 22mA (5V, 25°C) All I/O 漏电流: 19mA (5V, 25°C) 8 个 I/O: 中断/唤醒 电源管理 SLEEP LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V) LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V) 系统时钟 (SysClk) HIRC 高速内部振荡器 16MHz < ±2% typical (2.5−5.5V, 25°C) 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频 LIRC 低功耗低速内部振荡器 32 kHz 或 256 kHz EC 外部时钟 (I/O 输入) LP / XT 晶振输入 双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC) 故障保护时钟监控 集成开发环境 (IDE) 片上调试 (OCD),ISP 3 个硬件断点 软复位,暂停,单步,运行等 封装 SOT23-6 SOP8 DIP8 MSOP10 SOP14 DIP14 SOP16 DIP16 Fremont Micro Devices FT61EC2x Rev1.01 - 2 - 2022-09-21 产品信息和选型表 型号 I/O 数 封装 FT61EC20−Uab 4 SOT23-6 FT61EC21A−ab 6 SOP8 FT61EC21A−Dab DIP8 FT61EC21B−ab SOP8 FT61EC21B−Dab DIP8 FT61EC2F−Mab 8 MSOP-10 FT61EC22A−ab 12 SOP14 FT61EC22A−Dab DIP14 FT61EC23−ab 14 SOP16 FT61EC23−Dab DIP1您是第2251660位访客
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